適用范圍

模擬集成芯片、數字集成芯片、混合信號集成芯片、雙極芯片和CMOS芯片、信號處理芯片、功率芯片、直插芯片、表面貼裝芯片、航天級芯片，汽車(chē)級芯片，工業(yè)級芯片、商業(yè)級芯片等。

開(kāi)封的方法

一般的有化學(xué)(Chemical)開(kāi)封、機械(Mechanical)開(kāi)封、激光(Laser)開(kāi)封、Plasma Decap

開(kāi)封實(shí)驗室：Decap實(shí)驗室可以處理幾乎所有的IC封裝形式（COB.QFP.DIP SOT 等）、打線(xiàn)類(lèi)型（Au Cu Ag）。高分子的樹(shù)脂體在熱的濃硝酸（98%）或濃硫酸作用下，被腐蝕變成易溶于丙酮的低分子化合物，在超聲作用下，低分子化合物被清洗掉，從而露出芯片表層。

開(kāi)封方法一：在加熱板上加熱，溫度要達100 150度，將芯片正面方向向上，用吸管吸取少量的發(fā)煙硝酸（濃度>98%）。滴在產(chǎn)品表面，這時(shí)樹(shù)脂表面起化學(xué)反應，且冒出氣泡，待反應稍止再滴，這樣連滴5 10滴后，用鑷子夾住，放入盛有丙酮的燒杯中，在超聲波清洗機中清洗2 5分鐘后，取出再滴，如此反復，直到露出芯片為止，后必須以干凈的丙酮反復清洗確保芯片表面無(wú)殘留物。

開(kāi)封方法二：將所有產(chǎn)品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這種方法對于量多且只要看芯片是否破裂的情況較合適。缺點(diǎn)是操作較危險。要掌握要領(lǐng)。

開(kāi)封注意點(diǎn)：所有一切操作均應在通風(fēng)柜中進(jìn)行，且要戴好防酸手套。產(chǎn)品開(kāi)帽越到后越要少滴酸，勤清洗，以避免過(guò)腐蝕。清洗過(guò)程中注意鑷子勿碰到金絲和芯片表面，以免擦傷芯片和金絲。根據產(chǎn)品或分析要求有的開(kāi)帽后要露出芯片下面的導電膠，或者第二點(diǎn)。另外，有的情況下要將已開(kāi)帽產(chǎn)品按排重測。此時(shí)應首先放在80倍顯微鏡下觀(guān)察芯片上金絲是否斷，塌絲，如無(wú)則用刀片刮去管腳上黑膜后送測。注意控制開(kāi)帽溫度不要太高。

測試項目

1. IC開(kāi)封（正面/背面）QFP、QFN、SOT、TO、DIP、BGA、COB等

2. 樣品減?。ㄌ沾?，金屬除外）

3. 激光打標

開(kāi)封會(huì )用的危險的化學(xué)試劑，建議經(jīng)驗不足的人不要輕易嘗試，可以去有資質(zhì)的第三方實(shí)驗室。

分析中常用酸：濃硫酸：這里指98%的濃硫酸,它有強烈的脫水性,吸水性和氧化性。開(kāi)帽時(shí)用來(lái)一次性煮大量的產(chǎn)品，這里利用了它的脫水性和強氧化性。濃鹽酸：指37%（V/V）的鹽酸，有強烈的揮發(fā)性，氧化性。分析中用來(lái)去除芯片上的鋁層。發(fā)煙硝酸：指濃度為98%（V/V）的硝酸。用來(lái)開(kāi)帽。有強烈的揮發(fā)性，氧化性，因溶有NO2而呈紅褐色。王水：指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來(lái)腐蝕金球，因它腐蝕性很強，可腐蝕金。

參考標準

GB/T 37045 2018 信息技術(shù) 生物特征識別 指紋處理芯片技術(shù)要求

GB/T 36613 2018 發(fā)光二極管芯片點(diǎn)測方法

GB/T 33922 2017 MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗方法

GB/T 28856 2012 硅壓阻式壓力敏感芯片

EIA EIA 763 2002 自動(dòng)裝配用裸芯片和芯片級封裝,使用8 mm和12 mm載體帶捆扎

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